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Temas | - Física atómica y molecular experimental.
- Física atómica y molecular teórica.
- Física de plasmas.
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Posibles tesis | - Estudio de la formación de películas por descarga pulsada y continua.
- Emisión espectroscópica de las especies activas N$_2$ y H$_2$ en descargas pulsadas y continuas.
- Estudio teórico de los procesos de ionización y captura electrónica en interacciones ion-átomo.
- Estudio experimental de los procesos de ionizacion y captura electrónica en interacciones ion-átomo.
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Tesis recientes | - Pedro Guillermo Reyes Romero, Doctor en Ciencias (Física), Facultad de Ciencias, UNAM, Determinación de las secciones transversales totales de la interacción de iones de N y Ar en gases, agosto 9, 2002.
- Eric Raúl Marquina Cruz, Doctor en Ciencias (Física), Facultad de Ciencias, UAEM (Morelos) Estudio de los procesos de captura y pérdida electrónica en colisiones de iones de He en átomos de Ar octubre 30, 20002 (Co-dirigida con el Dr. Alejandro Amaya Tapia).
- Juan Manuel Hernández Rodríguez, Doctor en Ciencias (Física), Facultad de Ciencias, UAEM (EdoMex), Formación de iones Kr$^2 $ por la interacción de Kr en gases octubre 30, 2002 (co-dirigida con el Dr. Federico García Santibáñez García)
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Descripción investigaciones | Se estudia la interacción de iones con átomos, principalmente aquellas que dan lugar a procesos electrónicos en colisiones inelásticas. En particular, se calculan secciones eficaces parciales y totales de captura en el intervalo de energía de 1 a 150 keV y se miden las secciones eficaces diferenciales en ángulo y energía de captura pérdida en el intervalo de energía de 0.5 a 5.0 keV. La información relevante de los procesos colisiónales tanto en la física básica como aplicada está contenida en las secciones eficaces. Equipo - Acelerador de baja energía (0.5 a 5.0 keV)
- Fuente de iones alcalinos.
Se han estudiado los siguientes sistemas: He {Ar, Ne }, N {Ne, Kr, Xe, N2} y H Ca. Se estudia la modificación de las propiedades físicas, químicas y mecánicas de la superficie de un sólido por nitruración por plasmas. En este proceso los iones se implantan cerca de la superficie y los intervalos de dispersión aseguran que muchas de las especies implantadas son depositadas en la superficie misma: Las propiedades a ser modificadas pueden ser eléctricas, ópticas, mecánicas y ellas pueden relacionarse al comportamiento semiconductor de un material o a su comportamiento de corrosión. Las muestran nitruradas hasta ahora son: - X65
- Al
- 4340
Equipo:- Cámara de nitruración.
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Referencias | - Reyes P. G., Castillo F., Martínez H., Experimental study of single electron loss by Ar ions rare gases atoms, Journal of Physics B: At. Mol. Opt. Phys. 34, 1485-1495 (2001).
- A. Amaya-Tapia, R. Hernández and H. Martínez, Single Electron Capture cross section in 1-500 keV H Mg Collisions, Journal of Physics B: At. Mol. Opt. Phys. 34, 769-775 (2001).
- Marquina E.R., Amaya-Tapia A., Hernández R. and H. Martínez, Experimental and theoretical investigations of single-electron capture and loss in He - Ar Collisions, Journal of Physics B: At. Mol. Opt. Phys. 34, 3751-3761 (2001).
- Martínez H., He2 formation in collisions between He ions and Ne atoms, Phys. Rev. A 65, 054702-2 (2002).
- Martínez H, Castillo F., Reyes P.G., N charge transfer in N2 at low-keV collisions, International Journal of Mass Spectrometry 218, 161-165 (2002).
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