Martínez Valencia, Horacio

1. Física atómica y molecular experimental.
2. Física atómica y molecular teórica.
3. Física de plasmas.

1. Estudio de la formación de películas por descarga pulsada y continua.
2. Emisión espectroscópica de las especies activas N$_2$ y H$_2$ en descargas pulsadas y continuas.
3. Estudio teórico de los procesos de ionización y captura electrónica en interacciones ion-átomo.
4. Estudio experimental de los procesos de ionizacion y captura electrónica en interacciones ion-átomo.

1. Pedro Guillermo Reyes Romero, Doctor en Ciencias (Física), Facultad de Ciencias, UNAM, Determinación de las secciones transversales totales de la interacción de iones de N y Ar en gases, agosto 9, 2002.
2. Eric Raúl Marquina Cruz, Doctor en Ciencias (Física), Facultad de Ciencias, UAEM (Morelos) Estudio de los procesos de captura y pérdida electrónica en colisiones de iones de He en átomos de Ar octubre 30, 20002 (Co-dirigida con el Dr. Alejandro Amaya Tapia).
3. Juan Manuel Hernández Rodríguez, Doctor en Ciencias (Física), Facultad de Ciencias, UAEM (EdoMex), Formación de iones Kr$^2 $ por la interacción de Kr en gases octubre 30, 2002 (co-dirigida con el Dr. Federico García Santibáñez García)

Se estudia la interacción de iones con átomos, principalmente aquellas que dan lugar a procesos electrónicos en colisiones inelásticas. En particular, se calculan secciones eficaces parciales y totales de captura en el intervalo de energía de 1 a 150 keV y se miden las secciones eficaces diferenciales en ángulo y energía de captura pérdida en el intervalo de energía de 0.5 a 5.0 keV. La información relevante de los procesos colisiónales tanto en la física básica como aplicada está contenida en las secciones eficaces.
Equipo

1. Acelerador de baja energía (0.5 a 5.0 keV)
2. Fuente de iones alcalinos.

Se han estudiado los siguientes sistemas: He {Ar, Ne }, N {Ne, Kr, Xe, N2} y H Ca. Se estudia la modificación de las propiedades físicas, químicas y mecánicas de la superficie de un sólido por nitruración por plasmas. En este proceso los iones se implantan cerca de la superficie y los intervalos de dispersión aseguran que muchas de las especies implantadas son depositadas en la superficie misma: Las propiedades a ser modificadas pueden ser eléctricas, ópticas, mecánicas y ellas pueden relacionarse al comportamiento semiconductor de un material o a su comportamiento de corrosión. Las muestran nitruradas hasta ahora son:

1. X65
2. Al
3. 4340

1. Cámara de nitruración.

1. Reyes P. G., Castillo F., Martínez H., Experimental study of single electron loss by Ar ions rare gases atoms, Journal of Physics B: At. Mol. Opt. Phys. 34, 1485-1495 (2001).
2. A. Amaya-Tapia, R. Hernández and H. Martínez, Single Electron Capture cross section in 1-500 keV H Mg Collisions, Journal of Physics B: At. Mol. Opt. Phys. 34, 769-775 (2001).
3. Marquina E.R., Amaya-Tapia A., Hernández R. and H. Martínez, Experimental and theoretical investigations of single-electron capture and loss in He - Ar Collisions, Journal of Physics B: At. Mol. Opt. Phys. 34, 3751-3761 (2001).
4. Martínez H., He2 formation in collisions between He ions and Ne atoms, Phys. Rev. A 65, 054702-2 (2002).
5. Martínez H, Castillo F., Reyes P.G., N charge transfer in N2 at low-keV collisions, International Journal of Mass Spectrometry 218, 161-165 (2002).